《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志》統(tǒng)計(jì)源期刊

Research & Progress of SSE Solid State Electronics
《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志由中國(guó)電子科技集團(tuán)公司主管,南京電子器件研究所主辦,獲正式刊號(hào)(CN 32-1110/TN,ISSN 1000-3819)。本刊創(chuàng)刊于1981年,雙月刊,A4開本,其辦刊宗旨是報(bào)道電子領(lǐng)域的最新研究成果,反映電子學(xué)科的發(fā)展趨勢(shì),引領(lǐng)電子學(xué)科發(fā)展的前沿,并促進(jìn)電子事業(yè)的發(fā)展。
¥220.00
全年訂價(jià)
雙月刊
出版周期
32-1110/TN
國(guó)內(nèi)刊號(hào)
1000-3819
國(guó)際刊號(hào)
預(yù)計(jì)審稿周期:1-3個(gè)月
雜志簡(jiǎn)介 期刊榮譽(yù) 歷史收錄 學(xué)術(shù)熱點(diǎn) 期刊文獻(xiàn) 相關(guān)雜志

固體電子學(xué)研究與進(jìn)展雜志簡(jiǎn)介

主管單位:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司
出版周期:雙月刊
出版語言:中文
主辦單位:南京電子器件研究所
國(guó)際刊號(hào):1000-3819
類別:電子
創(chuàng)刊時(shí)間:1981
國(guó)內(nèi)刊號(hào):32-1110/TN
全年訂價(jià):¥ 220.00
出版地區(qū):江蘇
郵編:210016

《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》是一本由南京電子器件研究所主辦的電子學(xué)術(shù)刊物,該雜志為雙月刊,面向國(guó)、內(nèi)外公開發(fā)行。主要報(bào)道電子相關(guān)領(lǐng)域的研究成果與實(shí)踐,該雜志的創(chuàng)辦有利于國(guó)內(nèi)外同行探討有創(chuàng)新的學(xué)術(shù)觀點(diǎn),加強(qiáng)國(guó)內(nèi)外同行學(xué)術(shù)交流。本刊將及時(shí)推出該領(lǐng)域的新理論、新技術(shù)、新成果,使國(guó)內(nèi)外同行能及時(shí)、方便地查閱、引用,為電子研究事業(yè)的發(fā)展作貢獻(xiàn)。

《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》雜志一級(jí)發(fā)文領(lǐng)域主要有:電子電信、理學(xué)、自動(dòng)化與計(jì)算機(jī)技術(shù)、電氣工程、一般工業(yè)技術(shù)、機(jī)械工程、文化科學(xué)、經(jīng)濟(jì)管理、金屬學(xué)及工藝、核科學(xué)技術(shù)。二級(jí)發(fā)文領(lǐng)域主要有:電子電信 / 物理電子學(xué)、電子電信 / 微電子學(xué)與固體電子學(xué)、電子電信 / 電路與系統(tǒng)、理學(xué) / 物理、電子電信 / 信息與通信工程、理學(xué) / 半導(dǎo)體物理、自動(dòng)化與計(jì)算機(jī)技術(shù) / 計(jì)算機(jī)科學(xué)與技術(shù)、電子電信 / 通信與信息系統(tǒng)、自動(dòng)化與計(jì)算機(jī)技術(shù) / 控制科學(xué)與工程、自動(dòng)化與計(jì)算機(jī)技術(shù) / 計(jì)算機(jī)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。該雜志與時(shí)俱進(jìn),開拓進(jìn)取,保持優(yōu)勢(shì),敢于爭(zhēng)先,開設(shè)了三維集成射頻微系統(tǒng)(專欄)、器件物理與器件模擬、射頻微波與太赫茲、光電子學(xué)、硅微電子學(xué)、材料與工藝、研究簡(jiǎn)訊等欄目,反映電子領(lǐng)域科研成果和電子實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),為電子工作者和研究人員提供業(yè)務(wù)交流和學(xué)術(shù)成果的發(fā)布平臺(tái)。

固體電子學(xué)研究與進(jìn)展期刊榮譽(yù)

固體電子學(xué)研究與進(jìn)展歷史收錄

  • 北大核心期刊(2020版)
  • 北大核心期刊(2017版)
  • 北大核心期刊(2014版)
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 北大核心期刊(2008版)
  • 北大核心期刊(2000版)
  • 北大核心期刊(1996版)
  • 北大核心期刊(1992版)
  • 中國(guó)科技核心期刊
  • 中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-核心(2011-2012)
  • 中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-擴(kuò)展(2017-2018)
  • 中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-擴(kuò)展(2015-2016)
  • 中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫-擴(kuò)展(2013-2014)
  • Scopus數(shù)據(jù)庫
  • 日本科學(xué)技術(shù)振興機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)庫
  • 化學(xué)文摘(網(wǎng)絡(luò)版)

學(xué)術(shù)熱點(diǎn)分析

影響因子和被引次數(shù)

期刊他引率和平均引文率

影響因子:指某一期刊的文章在特定年份或時(shí)期被引用的頻率,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo)。影響因子越高,代表著期刊的影響力越大。

被引次數(shù):指某篇論文在一定時(shí)間內(nèi)被引用的次數(shù)。被引用次數(shù)越多,說明這篇論文影響力越大,論文的分量越高。

期刊他引率:指此期刊全部被引用次數(shù)中,被其他刊引用次數(shù)所占的比例。具體算法是:他引率= (被其他刊引用的次數(shù)) / (期刊被引用的總次數(shù))。

平均引文率:指在某一期刊上發(fā)表的論文被引用的平均次數(shù)。它是研究、學(xué)術(shù)績(jī)效和研究出版物發(fā)表質(zhì)量的重要指標(biāo)。

主要資助項(xiàng)目分析

序號(hào) 資助項(xiàng)目 文獻(xiàn)量
1 國(guó)家自然科學(xué)基金 823
2 國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃 147
3 國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃 113
4 江蘇省自然科學(xué)基金 68
5 中央高校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金 50
6 國(guó)家科技重大專項(xiàng) 47
7 國(guó)家教育部博士點(diǎn)基金 44
8 福建省自然科學(xué)基金 26

主要資助課題分析

序號(hào) 資助課題 文獻(xiàn)量
1 江蘇省“六大人才高峰”高層次人才項(xiàng)目(DZXX-053) 8
2 國(guó)家自然科學(xué)基金(60371029) 8
3 國(guó)家自然科學(xué)基金(60506012) 8
4 國(guó)家自然科學(xué)基金(60776016) 8
5 中央高校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金(JUSRP51323B) 8
6 國(guó)家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(2009AA011605) 7
7 北京市人才強(qiáng)教計(jì)劃項(xiàng)目(05002015200504) 7
8 國(guó)家自然科學(xué)基金(69736020) 7

主要發(fā)文機(jī)構(gòu)分析

序號(hào) 機(jī)構(gòu)名稱 發(fā)文量
1 南京電子器件研究所 925
2 東南大學(xué) 317
3 復(fù)旦大學(xué) 231
4 中國(guó)科學(xué)院 148
5 西安電子科技大學(xué) 116
6 浙江大學(xué) 77
7 清華大學(xué) 70
8 天津大學(xué) 69

相關(guān)發(fā)文主題分析

序號(hào) 相關(guān)發(fā)文主題
1 晶體管;電路;放大器;單片;GAAS
2 電路;半導(dǎo)體;放大器;晶體管;集成電路
3 電路;功耗;集成電路;低功耗;半導(dǎo)體
4 晶體管;半導(dǎo)體;分子束;分子束外延;異質(zhì)結(jié)
5 半導(dǎo)體;電路;金屬氧化物半導(dǎo)體;晶體管;碳化硅
6 電路;半導(dǎo)體;芯片;金屬氧化物半導(dǎo)體;低功耗
7 電路;集成電路;計(jì)算機(jī);半導(dǎo)體;GAAS
8 隧穿;電路;晶體管;共振隧穿;負(fù)阻

固體電子學(xué)研究與進(jìn)展期刊文獻(xiàn)

  • Ka波段GaN單片低噪聲放大器研制 作者:吳少兵; 李建平; 李忠輝; 高建峰; 黃念寧;南京電子器件研究所; 南京210016; 微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 南京210016;
  • Ku波段GaN MMIC高線性功率放大器設(shè)計(jì) 作者:趙映紅; 錢峰; 鄭惟彬;南京電子器件研究所; 南京210016; 微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 南京210016;
  • 基于SiC MOSFET的霍爾遷移率在片測(cè)試方法 作者:劉岳巍; 楊瑞霞;河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院; 天津300130; 石家莊鐵道大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院; 石家莊050043;
  • 數(shù)百eV低能電子束照射電介質(zhì)樣品帶電效應(yīng) 作者:李維勤; 李超;西安理工大學(xué)自動(dòng)化與信息工程學(xué)院; 西安710048; 西安應(yīng)用光學(xué)研究所; 西安710065;
  • 諧波控制在射頻功率放大器設(shè)計(jì)中的應(yīng)用 作者:王嘉文; 陶洪琪;微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、南京電子器件研究所; 南京210016;
  • 新型V波段綜合孔徑輻射計(jì)接收陣列的設(shè)計(jì) 作者:梅亮; 崔冬; 張華; 曹珂;南京電子器件研究所; 南京210016;
  • 一種超外差低中頻接收機(jī)射頻前端的設(shè)計(jì) 作者:王磊; 唐長(zhǎng)文;復(fù)旦大學(xué)專用集成電路與系統(tǒng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室; 上海201203;
  • 一種W波段介質(zhì)密封型的波導(dǎo)-微帶轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu) 作者:龔鴻州; 錢興成; 王元慶;南京電子器件研究所; 南京210016;

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全年訂價(jià):¥220.00  雙月刊

主辦單位:南京電子器件研究所

,地址:南京1601信箱43分箱,郵編:210016。

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